2024年4月5日消息，據國家知識產權局公告，長鑫存儲技術有限公司申請一項名為“一種半導體結構及其制備方法“，公開號CN117831581A，申請日期為2022年9月。

專利摘要顯示，本公開實施例提供了一種半導體結構及其制備方法，其中，所述結構包括：襯底；位于所述襯底上且分立設置的多個接觸插塞，所述接觸插塞包括第一接觸插塞和第二接觸插塞，所述第二接觸插塞的高度大于所述第一接觸插塞的高度；位于所述接觸插塞上的磁性隧道結，所述磁性隧道結包括第一磁性隧道結和第二磁性隧道結，所述第一磁性隧道結與所述第一接觸插塞連接，所述第二磁性隧道結與所述第二接觸插塞連接；其中，在垂直于所述襯底的方向上，所述第二磁性隧道結的下表面與所述第一磁性隧道結的上表面之間存在第一預設距離。