2024年4月5日消息，據國家知識產權局公告，長鑫存儲技術有限公司申請一項名為“半導體結構及其制備方法“，公開號CN117835694A，申請日期為2022年9月。

專利摘要顯示，本公開提供一種半導體結構及其制備方法，該半導體結構包括襯底和多條字線；多條字線均沿第一方向延伸，且沿第二方向間隔設置于襯底上，每相鄰兩條字線之間均設置有字線隔離結構；字線隔離結構至少包括沿第二方向層疊設置的第一隔離層和第二隔離層，第一隔離層和第二隔離層的材料不同，第一方向和第二方向相互交叉。本公開能夠有效提高字線隔離結構的隔離效果，提升半導體結構的性能。