2024年4月5日消息，據國家知識產權局公告，長鑫存儲技術有限公司申請一項名為“半導體結構及其讀寫控制方法和制造方法“，公開號CN117832252A，申請日期為2022年9月。

專利摘要顯示，本公開實施例涉及半導體技術領域，提供一種半導體結構及其讀寫控制方法和制造方法，半導體結構包括：基底以及位于基底上的數據線，數據線沿第一方向延伸；位于數據線上的第一晶體管和位于第一晶體管遠離數據線的一側的第二晶體管；其中，第一晶體管和第二晶體管中均包括：半導體柱，半導體柱位于數據線的部分頂面且沿第三方向延伸；半導體柱內部具有隔離結構，沿第二方向上，不同區域的隔離結構在第三方向上的厚度不同，且隔離結構貫穿半導體柱，第一方向、第二方向和第三方向兩兩相交。本公開實施例至少有利于在降低第一晶體管中的漏電流的同時，提高第二晶體管對第一晶體管中電流變化的感應靈敏度，以提高半導體結構的電學性能。