2024年4月5日消息，據(jù)國家知識產(chǎn)權(quán)局公告，長鑫存儲技術(shù)有限公司申請一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其讀寫控制方法和制造方法“，公開號CN117832252A，申請日期為2022年9月。

專利摘要顯示，本公開實(shí)施例涉及半導(dǎo)體技術(shù)領(lǐng)域，提供一種半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)及其讀寫控制方法和制造方法，半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)包括：基底以及位于基底上的數(shù)據(jù)線，數(shù)據(jù)線沿第一方向延伸；位于數(shù)據(jù)線上的第一晶體管和位于第一晶體管遠(yuǎn)離數(shù)據(jù)線的一側(cè)的第二晶體管；其中，第一晶體管和第二晶體管中均包括：半導(dǎo)體柱，半導(dǎo)體柱位于數(shù)據(jù)線的部分頂面且沿第三方向延伸；半導(dǎo)體柱內(nèi)部具有隔離結(jié)構(gòu)，沿第二方向上，不同區(qū)域的隔離結(jié)構(gòu)在第三方向上的厚度不同，且隔離結(jié)構(gòu)貫穿半導(dǎo)體柱，第一方向、第二方向和第三方向兩兩相交。本公開實(shí)施例至少有利于在降低第一晶體管中的漏電流的同時(shí)，提高第二晶體管對第一晶體管中電流變化的感應(yīng)靈敏度，以提高半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的電學(xué)性能。