中金公司4月3日研報指出，隨著下游手機、PC、服務器等行業需求的逐步復蘇以及存儲原廠削減產能逐步落地，從2023年三季度開始部分大類存儲的價格開始觸底反轉步入上行通道，相關國內外廠商股價均有所表現。站在當前時點依舊看好行業整體有望維持景氣向上趨勢，同時建議積極關注各細分產業鏈賽道。1）大類存儲受益于HBM供不應求，供需格局有望持續優化。2）利基存儲有望跟隨大類存儲步入上行通道。3）服務器去庫存接近尾聲疊加DDR5滲透率提升利好內存接口芯片賽道。

全文如下

中金|智算未來系列四：存儲，算力糧倉新篇章

中金研究

隨著下游手機、PC、服務器等行業需求的逐步復蘇以及存儲原廠削減產能逐步落地，我們看到從3Q23開始部分大類存儲的價格開始觸底反轉步入上行通道，相關國內外廠商股價均有所表現。站在當前時點我們依舊看好行業整體有望維持景氣向上趨勢，同時建議積極關注各細分產業鏈賽道。1）大類存儲受益于HBM供不應求，供需格局有望持續優化。2）利基存儲有望跟隨大類存儲步入上行通道。3）服務器去庫存接近尾聲疊加DDR5滲透率提升利好內存接口芯片賽道。

摘要

周期復盤：1）根據市場規模變化情況，我們可以看到存儲芯片的波動周期大概是3至4年為一個周期。歷史上周期上行主要驅動因素有終端銷量爆發、新技術投入應用、晶圓廠合并/減產/產能不足等因素。周期下行的因素包括產能過剩、國際經濟形勢影響及需求疲軟等。2）股價相較于公司的基本面具有一定的領先性，時間在1~2個季度不等。3）利基存儲與大類存儲趨勢同步性較高，從供給和下游需求結構來看有一定的重合度。

存儲芯片：大類存儲供給端產能去化初見成效，需求端景氣度逐漸修復，價格有望持續上行。DDR4因產能受HBM及DDR5擠壓形成缺貨，我們預計DDR4系列產品1Q24景氣持續；客戶補庫需求推動NAND淡季不淡；HBM系產品及DDR5乘AI算力東風，供不應求，價格維持高位。利基存儲廠商營收環比向好，行業回暖趨勢已較為明朗。

存儲模組：上游存儲芯片價格起漲帶動模組價格同漲，下游服務器等產品需求修復抬高供給價格。當前存儲芯片價格反彈提升模組廠商備貨意愿+臺、陸模組廠商于3Q23開始戰略性備貨，我們認為模組端庫存有望于2024年逐步釋放。

內存接口芯片：1）服務器出貨量增加、AI服務器出貨占比擴大帶動內存接口芯片需求上漲。2）DDR5滲透率提升+子代迭代速度快對配套內存接口芯片及套片存在強需求。

HBM：HBM的應用緩解了“內存墻”的問題。根據SK海力士估算，HBM的需求在2022至2025年之間的CAGR增速將達到109%。SK海力士、三星電子、美光科技三大家競爭進入白熱化，各自發力HBM3E產品。

風險

AI應用推進不及預期，各大原廠減產幅度不及預期。