2024年4月4日消息，據國家知識產權局公告，三星電子株式會社取得一項名為“半導體器件及其制造方法“，授權公告號CN110931467B，申請日期為2019年8月。

專利摘要顯示，提供了一種半導體器件及其制造方法，所述制造半導體器件的方法包括：形成第一電極；在第一電極上形成初始介電層；在初始介電層上形成第二電極；以及使初始介電層至少部分地相變以形成介電層。第一電極與介電層之間的界面能可以小于第一電極與初始介電層之間的界面能。