2024年3月28日消息，據國家知識產權局公告，長鑫存儲技術有限公司取得一項名為“半導體存儲器“，授權公告號CN113470710B，申請日期為2020年3月。

專利摘要顯示，一種半導體存儲器，包括：存儲器芯片，所述存儲器芯片中至少包括存儲陣列；電壓調節單元，所述電壓調節單元用于將外部輸入的第一電壓轉換為第二電壓，以供所述存儲陣列中的字線驅動電路使用，其中所述第一電壓大于第二電壓。本發明的半導體存儲器減小了存儲器芯片(或者半導體存儲器)的功耗，同時電壓被寄生電阻的消耗也較小，使得字線驅動電路上施加的第二電壓大小達到預定值。