2024年3月28日消息，據國家知識產權局公告，長鑫存儲技術有限公司取得一項名為“半導體器件“，授權公告號CN113497027B，申請日期為2020年4月。

專利摘要顯示，本發明提供了一種半導體器件，包括：第一導電類型的摻雜阱區；M個半導體單元，M個半導體單元位于第一導電類型的摻雜阱區內，且在第一導電類型的摻雜阱區中沿著第一方向排布，M為正整數；半導體單元包括第二導電類型的第一摻雜區和第一導電類型的摻雜區，第一導電類型的摻雜區環繞第二導電類型的第一摻雜區；第二導電類型的第二摻雜區，第二導電類型的第二摻雜區位于M個半導體單元沿第一方向的至少一側，且第二導電類第二導電類型的第二摻雜區使得M個半導體單元整體的邊緣形成有具有低導通電壓和高維持電流的區域，繼而獲得較好的靜電釋放性能，使得半導體器件即使整體面積減小了，也不會影響到半導體器件的經典釋放性能。