2024年3月28日消息，據(jù)國(guó)家知識(shí)產(chǎn)權(quán)局公告，長(zhǎng)鑫存儲(chǔ)技術(shù)有限公司取得一項(xiàng)名為“半導(dǎo)體器件“，授權(quán)公告號(hào)CN113497027B，申請(qǐng)日期為2020年4月。

專利摘要顯示，本發(fā)明提供了一種半導(dǎo)體器件，包括：第一導(dǎo)電類型的摻雜阱區(qū)；M個(gè)半導(dǎo)體單元，M個(gè)半導(dǎo)體單元位于第一導(dǎo)電類型的摻雜阱區(qū)內(nèi)，且在第一導(dǎo)電類型的摻雜阱區(qū)中沿著第一方向排布，M為正整數(shù)；半導(dǎo)體單元包括第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)和第一導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)，第一導(dǎo)電類型的摻雜區(qū)環(huán)繞第二導(dǎo)電類型的第一摻雜區(qū)；第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)，第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)位于M個(gè)半導(dǎo)體單元沿第一方向的至少一側(cè)，且第二導(dǎo)電類第二導(dǎo)電類型的第二摻雜區(qū)使得M個(gè)半導(dǎo)體單元整體的邊緣形成有具有低導(dǎo)通電壓和高維持電流的區(qū)域，繼而獲得較好的靜電釋放性能，使得半導(dǎo)體器件即使整體面積減小了，也不會(huì)影響到半導(dǎo)體器件的經(jīng)典釋放性能。