普及100TBSSD，消息稱三星明年推出第10代NAND：三重堆疊技術(shù)，最高430層
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小采
新股
4月28日消息，三星半導(dǎo)體日前宣布量產(chǎn)第九代V-NAND1TbTLC產(chǎn)品，位密度（bitdensity）比上一代產(chǎn)品提高約50%，通過通道孔蝕刻技術(shù)（channelholeetching）提高生產(chǎn)效率。
第九代V-NAND采用雙重堆疊技術(shù)，在旗艦V8閃存的236層基礎(chǔ)上，再次達(dá)到了290層，主要面向大型企業(yè)服務(wù)器以及人工智能和云設(shè)備。
而業(yè)內(nèi)消息稱三星計(jì)劃明年推出第10代NAND芯片，采用三重堆疊技術(shù)，達(dá)到430層，進(jìn)一步提高NAND的密度，并鞏固和擴(kuò)大其領(lǐng)先優(yōu)勢。
市場研究公司Omdia預(yù)計(jì)，NAND閃存市場在2023年下降37.7%后，預(yù)計(jì)今年將增長38.1%。為了在快速增長的市場中占據(jù)一席之地，三星誓言要大力投資NAND業(yè)務(wù)。
此前報(bào)道，三星高管表示，該公司的目標(biāo)是到2030年開發(fā)超過1000層的NAND芯片，以實(shí)現(xiàn)更高的密度和存儲(chǔ)能力。