東吳證券研報表示，市場擔心前期存儲板塊漲價主要系海外原廠控產(chǎn)導致，持續(xù)性堪憂，但我們認為下游需求逐步回暖疊加HBM新品需求及DDR5滲透率持續(xù)提升，存儲板塊成長動能持續(xù)接力。存儲國產(chǎn)化勢在必行，重點關(guān)注存儲產(chǎn)業(yè)鏈。通過對產(chǎn)業(yè)鏈主要玩家減產(chǎn)動作、庫存及漲價傳導業(yè)績改善觀測，大廠HBM及DDR5等新品擴產(chǎn)明確，國產(chǎn)化存儲產(chǎn)品突破、AI及下游需求回暖等持續(xù)催化，我們在當前時點看好存儲漲價傳導業(yè)績反彈及AI算力存儲國產(chǎn)主線。伴隨下游AI服務(wù)器、新能源汽車等新需求及消費電子、家電、工控等多領(lǐng)域需求復蘇催化拉動，基于產(chǎn)業(yè)配套及國產(chǎn)化替代等邏輯，我們認為存儲板塊重點看兩條主線：1)漲價邏輯業(yè)績反彈標的：佰維存儲（2023年四季度毛利率環(huán)比提升超過13個百分點）、德明利（全年扭虧，第四季度凈利潤大幅增長）、江波龍（營收破百億元，四季度扭虧為盈）、普冉股份等。2)HBM及AI算力存儲國產(chǎn)化相關(guān)標的：佰維存儲（研發(fā)封測一體化廠商）、朗科科技（國內(nèi)大灣區(qū)算力樞紐核心存儲模組廠商）、香農(nóng)芯創(chuàng)（海力士國內(nèi)核心分銷商）、萬潤科技（與國內(nèi)存儲大廠密切合作）、同有科技、瀾起科技等。

全文如下

AI拉動景氣度向上疊加業(yè)績拐點，存儲板塊成長動能充足

投資要點

存儲產(chǎn)品價格持續(xù)上漲，有望打開量價齊升局面。伴隨海外大廠持續(xù)降低稼動率、去庫存，存儲板塊自23Q3觸底反彈進入漲價上行通道。DRAM、NAND顆粒價格均自23Q4起漲，Wafer漲價趨勢明顯。隨著海外大廠積極減產(chǎn)提價疊加AI催化，下游拉貨意愿強烈，存儲市場供不應(yīng)求行情顯著。隨著需求的進一步回暖，漲價有望持續(xù)，量價齊升。此外，HBM、DDR5等高附加值產(chǎn)品滲透率逐步提升，有望拉動存儲價格進一步上漲。

行業(yè)整體回暖，國內(nèi)模組廠業(yè)績拐點已現(xiàn)。1）海外市場：收入端，存儲行業(yè)下行導致多家企業(yè)的營收出現(xiàn)下跌，但AI發(fā)展帶來了對服務(wù)器和移動端產(chǎn)品的高需求，部分公司業(yè)績回彈。利潤端，2023年Q1行業(yè)整體毛利率大幅下降，企業(yè)通過提升產(chǎn)品ASP成功提升盈利能力。各公司通過成本管理收窄虧損額，行業(yè)逐步回暖。頭部公司的庫存周轉(zhuǎn)天數(shù)下降，預示市場環(huán)境逐步改善。產(chǎn)品端，NAND業(yè)務(wù)2024Q1稼動率仍較低，而HBM和DDR5產(chǎn)能有所回升，資本支出將聚焦于這一領(lǐng)域。整體來看，DRAM和NAND供給逐季減少，產(chǎn)品市場價格有望提升，根據(jù)TrendForce預測，NANDFlash2024Q1合約價季漲幅為18%-23%，DRAMQ1漲幅13-18%。2）國內(nèi)市場：業(yè)績方面23Q3絕大部分廠商都實現(xiàn)了環(huán)比增長，部分廠商營收實現(xiàn)同比增長，隨著23年業(yè)績預告逐步公告，模組廠Q4已經(jīng)迎來業(yè)績拐點。

智能手機、PC等下游需求改善疊加HBM等新品需求提升，存儲行業(yè)成長動能充足。隨著數(shù)字化的發(fā)展，智能手機、智能穿戴設(shè)備、PC、服務(wù)器等產(chǎn)品需求量增加，帶動了存儲芯片的需求增長。2023Q4全球智能手機出貨量達到3.261億臺，可穿戴設(shè)備2023Q3全球出貨量同比增長2.6%，達到1.5億臺。根據(jù)Gartner數(shù)據(jù)，2023Q4全球PC出貨量總計6330萬臺，比2022Q4增長0.3%。根據(jù)IDC數(shù)據(jù)，預計服務(wù)器2026年全球市場規(guī)模和出貨量將達到1665.0億美元和1885.1萬臺。

投資建議：市場擔心前期存儲板塊漲價主要系海外原廠控產(chǎn)導致，持續(xù)性堪憂，但我們認為下游需求逐步回暖疊加HBM新品需求及DDR5滲透率持續(xù)提升，存儲板塊成長動能持續(xù)接力。存儲國產(chǎn)化勢在必行，重點關(guān)注存儲產(chǎn)業(yè)鏈。通過對產(chǎn)業(yè)鏈主要玩家減產(chǎn)動作、庫存及漲價傳導業(yè)績改善觀測，大廠HBM及DDR5等新品擴產(chǎn)明確，國產(chǎn)化存儲產(chǎn)品突破、AI及下游需求回暖等持續(xù)催化，我們在當前時點看好存儲漲價傳導業(yè)績反彈及AI算力存儲國產(chǎn)主線。伴隨下游AI服務(wù)器、新能源汽車等新需求及消費電子、家電、工控等多領(lǐng)域需求復蘇催化拉動，基于產(chǎn)業(yè)配套及國產(chǎn)化替代等邏輯，我們認為存儲板塊重點看兩條主線：1)漲價邏輯業(yè)績反彈標的：佰維存儲（Q4毛利率環(huán)比提升超過13pcts）、德明利（全年扭虧，第四季度凈利潤大幅增長）、江波龍（營收破百億元，四季度扭虧為盈）、普冉股份等。2)HBM及AI算力存儲國產(chǎn)化相關(guān)標的：佰維存儲（研發(fā)封測一體化廠商）、朗科科技（國內(nèi)大灣區(qū)算力樞紐核心存儲模組廠商）、香農(nóng)芯創(chuàng)（海力士國內(nèi)核心分銷商）、萬潤科技（與國內(nèi)存儲大廠密切合作）、同有科技、瀾起科技等。

風險提示：漲價傳導不及預期風險；宏觀經(jīng)濟形勢變化風險；龍頭廠商減產(chǎn)不及預期風險；下游復蘇不及預期風險。