東吳證券研報表示，市場擔心前期存儲板塊漲價主要系海外原廠控產導致，持續性堪憂，但我們認為下游需求逐步回暖疊加HBM新品需求及DDR5滲透率持續提升，存儲板塊成長動能持續接力。存儲國產化勢在必行，重點關注存儲產業鏈。通過對產業鏈主要玩家減產動作、庫存及漲價傳導業績改善觀測，大廠HBM及DDR5等新品擴產明確，國產化存儲產品突破、AI及下游需求回暖等持續催化，我們在當前時點看好存儲漲價傳導業績反彈及AI算力存儲國產主線。伴隨下游AI服務器、新能源汽車等新需求及消費電子、家電、工控等多領域需求復蘇催化拉動，基于產業配套及國產化替代等邏輯，我們認為存儲板塊重點看兩條主線：1)漲價邏輯業績反彈標的：佰維存儲（2023年四季度毛利率環比提升超過13個百分點）、德明利（全年扭虧，第四季度凈利潤大幅增長）、江波龍（營收破百億元，四季度扭虧為盈）、普冉股份等。2)HBM及AI算力存儲國產化相關標的：佰維存儲（研發封測一體化廠商）、朗科科技（國內大灣區算力樞紐核心存儲模組廠商）、香農芯創（海力士國內核心分銷商）、萬潤科技（與國內存儲大廠密切合作）、同有科技、瀾起科技等。

全文如下

AI拉動景氣度向上疊加業績拐點，存儲板塊成長動能充足

投資要點

存儲產品價格持續上漲，有望打開量價齊升局面。伴隨海外大廠持續降低稼動率、去庫存，存儲板塊自23Q3觸底反彈進入漲價上行通道。DRAM、NAND顆粒價格均自23Q4起漲，Wafer漲價趨勢明顯。隨著海外大廠積極減產提價疊加AI催化，下游拉貨意愿強烈，存儲市場供不應求行情顯著。隨著需求的進一步回暖，漲價有望持續，量價齊升。此外，HBM、DDR5等高附加值產品滲透率逐步提升，有望拉動存儲價格進一步上漲。

行業整體回暖，國內模組廠業績拐點已現。1）海外市場：收入端，存儲行業下行導致多家企業的營收出現下跌，但AI發展帶來了對服務器和移動端產品的高需求，部分公司業績回彈。利潤端，2023年Q1行業整體毛利率大幅下降，企業通過提升產品ASP成功提升盈利能力。各公司通過成本管理收窄虧損額，行業逐步回暖。頭部公司的庫存周轉天數下降，預示市場環境逐步改善。產品端，NAND業務2024Q1稼動率仍較低，而HBM和DDR5產能有所回升，資本支出將聚焦于這一領域。整體來看，DRAM和NAND供給逐季減少，產品市場價格有望提升，根據TrendForce預測，NANDFlash2024Q1合約價季漲幅為18%-23%，DRAMQ1漲幅13-18%。2）國內市場：業績方面23Q3絕大部分廠商都實現了環比增長，部分廠商營收實現同比增長，隨著23年業績預告逐步公告，模組廠Q4已經迎來業績拐點。

智能手機、PC等下游需求改善疊加HBM等新品需求提升，存儲行業成長動能充足。隨著數字化的發展，智能手機、智能穿戴設備、PC、服務器等產品需求量增加，帶動了存儲芯片的需求增長。2023Q4全球智能手機出貨量達到3.261億臺，可穿戴設備2023Q3全球出貨量同比增長2.6%，達到1.5億臺。根據Gartner數據，2023Q4全球PC出貨量總計6330萬臺，比2022Q4增長0.3%。根據IDC數據，預計服務器2026年全球市場規模和出貨量將達到1665.0億美元和1885.1萬臺。

投資建議：市場擔心前期存儲板塊漲價主要系海外原廠控產導致，持續性堪憂，但我們認為下游需求逐步回暖疊加HBM新品需求及DDR5滲透率持續提升，存儲板塊成長動能持續接力。存儲國產化勢在必行，重點關注存儲產業鏈。通過對產業鏈主要玩家減產動作、庫存及漲價傳導業績改善觀測，大廠HBM及DDR5等新品擴產明確，國產化存儲產品突破、AI及下游需求回暖等持續催化，我們在當前時點看好存儲漲價傳導業績反彈及AI算力存儲國產主線。伴隨下游AI服務器、新能源汽車等新需求及消費電子、家電、工控等多領域需求復蘇催化拉動，基于產業配套及國產化替代等邏輯，我們認為存儲板塊重點看兩條主線：1)漲價邏輯業績反彈標的：佰維存儲（Q4毛利率環比提升超過13pcts）、德明利（全年扭虧，第四季度凈利潤大幅增長）、江波龍（營收破百億元，四季度扭虧為盈）、普冉股份等。2)HBM及AI算力存儲國產化相關標的：佰維存儲（研發封測一體化廠商）、朗科科技（國內大灣區算力樞紐核心存儲模組廠商）、香農芯創（海力士國內核心分銷商）、萬潤科技（與國內存儲大廠密切合作）、同有科技、瀾起科技等。

風險提示：漲價傳導不及預期風險；宏觀經濟形勢變化風險；龍頭廠商減產不及預期風險；下游復蘇不及預期風險。